Ons logo én onze webshop hebben een make-over gekregen, maar wees gerust: we blijven dezelfde vertrouwde Standaard Boekhandel die je kent en liefhebt.
Nieuwsgierig naar het verhaal achter onze nieuwe stijl?
This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.
