Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
The transformation of the global energy system towards renewable energies requires high-efficiency and low-cost photovoltaic devices. Silicon solar cells based on so-called passivating contact systems and tandem devices are deemed to be the next major evolution with apparent successes in both laboratory and industry. However, new challenges arise like non-trivial charge carrier (tunnelling) transport across multiple interfaces and additional parasitic absorption losses. This thesis provides a comprehensive study of state-of-the-art silicon solar cells and their integration as bottom cells in novel perovskite-silicon tandem devices by means of numerical simulation. It comprises detailed opto-electrical device simulation based on sophisticated physical models to analyze the most relevant solar cell concepts featuring passivating contacts, including tunnel-oxide passivating contacts (TOPCon), silicon heterojunctions (SHJ) as well as alternative contact layers like metal oxides. In close collaboration with experimental work done at Fraunhofer ISE, this work addresses current experimental challenges and technological restrictions and elaborates on the potential of future improvements.