Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
Silicon solar cells are one piece in the puzzle of a successful energy transition towards renewable energies. Unfortunately, many outdoor parameters such as high temperatures have a detrimental impact on solar cells' energy output. To enhance the understanding of silicon as a semiconductor used in photovoltaics, this thesis investigates the temperature dependence of silicon and silicon solar cells. Measurement approaches for spatially-resolved temperature-dependent characterization of silicon wafers and solar cells were developed being based e.g. on photoluminescence imaging or lock-in thermography at realistic operation temperatures. The temperature dependence of three different regions of silicon solar cells is investigated in detail: the bulk, surfaces and diffused regions. The acquired knowledge is employed in a sensitivity analysis to demonstrate how new findings about temperature sensitivity of silicon solar cells influence numerical simulations of silicon solar cell devices. Finally, all developed approaches of this work are combined to predict silicon solar modules' energy yield in spatial resolution via measurements at wafer level before metallization.