Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
This dissertation presents the development and characterization of the bifacial p-type silicon shingle solar cells with edge passivation. As a derivative of the bifacial passivated emitter and rear cell (biPERC), the developed device adopts the biPERC fabrication process flow with an additional laser-assisted separation. The work introduces the passivated edge technology (PET) to regain losses caused by charge carrier recombination at the newly-formed edges after separation. PET encompasses a low temperature (T = 130°C) aluminum oxide (Al2O3) deposition by atomic layer deposition and an additional annealing step. The impact of the thermal laser separation on the solar cell's electrical performance is studied. Moreover, very low effective surface recombination velocity values Seff of around 5 cm/s are attained with Al2O3 layers on floatzone silicon substrates at studied low process temperatures. PET leads to around 80%rel pseudo-fill factor regain of losses from the as-separated shingle cell state. The new device is called the p-type shingled, passivated, edge, emitter, and rear (pSPEERPET) solar cell and attains a peak output power density of pout = 23.7 mW/cm2.