Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
In the present work, we used the optical properties of pure and doped zinc oxide thin films as the n-type semiconductor. The thin films were deposited at different precursor molarities by ultrasonic spray and spray pyrolysis techniques also at different substrate temperatures, the ZnO doped with various dopant's such as Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn doped ZnO thin films. In this work the attention was focused on the presently new approach to calculate the optical gap energy and Urbach energies. The model proposed to calculate the band gap or the Urbach energies of undoped and doped ZnO thin films were studied. The relation between the experimental data and theoretical calculation with precursor molarities suggests that the band gap or the Urbach energies are predominantly estimated by the band gap or the Urbach energies and the concentration of ZnO solution.