Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • In januari gratis thuislevering in België
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
  • Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
  • In januari gratis thuislevering in België
  • Ruim aanbod met 7 miljoen producten
  1. Boeken
  2. Bedrijf & Technologie
  3. Techniek
  4. Point Defects in Semiconductors I

Point Defects in Semiconductors I

Theoretical Aspects

M Lannoo
Paperback | Engels | Solid-State Sciences | nr. 22
€ 105,59
+ 211 punten
Levering 1 à 2 weken
Eenvoudig bestellen
Veilig betalen
In januari gratis thuislevering in België (via bpost)
Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

From its early beginning before the war, the field of semiconductors has developped as a classical example where the standard approximations of 'band theory' can be safely used to study its interesting electronic properties. Thus in these covalent crystals, the electronic structure is only weakly coupled with the atomic vibrations; one-electron Bloch functions can be used and their energy bands can be accurately computed in the neighborhood of the energy gap between the valence and conduction bands; nand p doping can be obtained by introducing substitutional impurities which only introduce shallow donors and acceptors and can be studied by an effective-mass weak-scattering description. Yet, even at the beginning, it was known from luminescence studies that these simple concepts failed to describe the various 'deep levels' introduced near the middle of the energy gap by strong localized imperfections. These imperfections not only include some interstitial and many substitutional atoms, but also 'broken bonds' associated with surfaces and interfaces, dis- location cores and 'vacancies', i.e., vacant iattice sites in the crystal. In all these cases, the electronic structure can be strongly correlated with the details of the atomic structure and the atomic motion. Because these 'deep levels' are strongly localised, electron-electron correlations can also playa significant role, and any weak perturbation treatment from the perfect crystal structure obviously fails. Thus, approximate 'strong coupling' techniques must often be used, in line' with a more chemical de- scription of bonding.

Specificaties

Betrokkenen

Auteur(s):
Uitgeverij:

Inhoud

Aantal bladzijden:
265
Taal:
Engels
Reeks:
Reeksnummer:
nr. 22

Eigenschappen

Productcode (EAN):
9783642815768
Verschijningsdatum:
10/01/2012
Uitvoering:
Paperback
Formaat:
Trade paperback (VS)
Afmetingen:
156 mm x 234 mm
Gewicht:
412 g
Standaard Boekhandel

Alleen bij Standaard Boekhandel

+ 211 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
SOLDEN

30% korting

op een mooie selectie boeken en papierwaren
SOLDEN
solden
Standaard Boekhandel

Beoordelingen

We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.