Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- In januari gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- In januari gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications
Matthias Sinnwell
€ 55,45
+ 110 punten
Omschrijving
Compared to the currently deployed lateral gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT), a vertical transistor concept would enhance the current handling capability and improve thermal management. While research on vertical transistors in GaN has focused on high-power switching applications, there has been limited exploration of their potential use as radio-frequency (RF) power amplifiers.
This work experimentally assesses the frequency capability of the vertical fin field-effect transistor (FinFET) in the GHz regime. It develops a process capable of manufacturing RF-compatible FinFETs on a wafer scale. Furthermore, two assumed drawbacks of the vertical FinFET concept are successfully addressed: the use of electron beam lithography for structuring sufficiently narrow fins and the limited yield due to high device complexity. Small-signal analyses for devices consisting of up to 100 fins are presented, achieving cut-off frequencies beyond 10 GHz. The limitations of the concept in terms of gate capacitance and resitance are analysed. Ultimately, this work provides estimations for achievable maximum frequencies of oscillations for the vertical GaN FinFET concept.
This work experimentally assesses the frequency capability of the vertical fin field-effect transistor (FinFET) in the GHz regime. It develops a process capable of manufacturing RF-compatible FinFETs on a wafer scale. Furthermore, two assumed drawbacks of the vertical FinFET concept are successfully addressed: the use of electron beam lithography for structuring sufficiently narrow fins and the limited yield due to high device complexity. Small-signal analyses for devices consisting of up to 100 fins are presented, achieving cut-off frequencies beyond 10 GHz. The limitations of the concept in terms of gate capacitance and resitance are analysed. Ultimately, this work provides estimations for achievable maximum frequencies of oscillations for the vertical GaN FinFET concept.
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 185
- Taal:
- Engels
- Reeks:
- Reeksnummer:
- nr. 64
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9783839621035
- Uitvoering:
- Paperback
- Afmetingen:
- 148 mm x 210 mm
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 110 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
SOLDEN
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.