Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
In januari gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
In januari gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

140 winkels

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Vind hier een winkel

€ 111,95

+ 223 punten

Verwachte beschikbaarheidsdatum onbekend

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

In januari gratis thuislevering in België (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides. The last such guide was Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits, edited by Ma and Dressendorfer and published in 1989. While that book remains an authoritative reference in many areas, there has been a significant amount of more recent work on the nature of the electrically active defects in MOS oxides which are generated by exposure to ionizing radiation. These same defects are also critical in many other areas of oxide reliability research. As a result of this work, the understanding of the basic physical mechanisms has evolved. This book summarizes the new work and integrates it with older work to form a coherent, unified picture. It is aimed primarily at specialists working on radiation effects and oxide reliability.