Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- In januari gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- In januari gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Hf-Based High-k Dielectrics
Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Young-Hee Kim, Jack C. Lee
€ 50,45
+ 100 punten
Omschrijving
In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) is investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, are studied under constant voltage stress. Dynamic stressing is also used. The combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime.
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 92
- Reeks:
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9781598290042
- Verschijningsdatum:
- 30/06/2005
- Uitvoering:
- Paperback
- Afmetingen:
- 187 mm x 235 mm
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 100 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
SOLDEN
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.