Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
In januari gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.

Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
In januari gratis thuislevering in België
Ruim aanbod met 7 miljoen producten

Winkels

Verlanglijstje

Winkels

Verlanglijstje

Zoeken

Volg ons op

140 winkels

Wist je dat er in Vlaanderen voor iedereen een Standaard Boekhandel is binnen een straal van 7 km?

Vind hier een winkel

€ 25,95

+ 51 punten

Levertermijn 1 à 4 weken

Eenvoudig bestellen

Veilig betalen

In januari gratis thuislevering in België (via bpost)

Gratis levering in je Standaard Boekhandel

Omschrijving

This work investigates the application-relevant short-circuit type II and III behaviours of discrete IGBTs and SiC-MOSFETs. Unlike the well-studied SC I, SC II and III involve complex dynamic processes, requiring a deeper physical understanding. External influencing factors such as gate driver design, gate resistance, package parasitics, and magnetic coupling are analysed experimentally, revealing their role in shaping gate voltage overshoot, current peaks, and induced overvoltages.Internally, TCAD simulations highlight the plasma effect in IGBTs, which significantly impacts current peak, decay dynamics, and self-turn-off risks. Additionally, a novel channel potential modification-induced displacement current (CPiC) mechanism is introduced as a contributor to gate voltage overshoot, complementing the classical Miller effect. The SC type III introduces IGBT-diode interactions. Moreover, plasma effects in high-voltage SiC-MOSFETs under SC III are shown for the first time, with implications for dead time and gate bias optimisation. Overall, this dissertation provides new insights into short-circuit physics and suggests methods to improve the ruggedness of IGBTs and SiC-MOSFETs in demanding applications.