Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
In this book we present the investigation of electrostatic doping in a wide variety of novel materials incorporated in field-effect transistors (FETs), including polymers, organic molecular crystals, graphene and bilayer graphene. These studies have lead to substantial advances in our current understanding of these materials. Specifically, we performed the first infrared (IR) imaging of the accumulation layer in poly(3-hexylthiophene) (P3HT) FETs. Furthermore, we found that charge carriers in molecular orbital bands with light mass dominate the transport properties of single crystal rubrene. More recently, we explored the IR absorption of graphene and found several signatures of many-body interactions. Moreover, we discovered an asymmetric band structure in bilayer graphene and determined the band parameters with an accuracy never achieved before. Our work has demonstrated that IR spectroscopy is uniquely suited for probing the electronic excitations in nanometer-thick accumulation layers in FET devices.