Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
The goal of this work was to synthesize refractory materials like TiN, Ta and alloys of TiN-TaN in the form of thin films which are used as diffusion barriers in integrated circuits to prevent diffusion of Cu into the Si substrate. The primary emphasis of this research was to synthesize different microstructures of these films like amorphous, nanocrystalline, textured polycrystalline and single crystalline films, and to study the effect of these microstructures on their mechanical and electrical properties and on diffusion characteristics of Cu. Microstructures ranging from nanocrystalline to single crystalline TiN films on Si(100) substrates were synthesized by Pulsed Laser Deposition technique by varying the substrate temperature from 25°C to 650°C. Experimental techniques like XRD, TEM, HRTEM, STEM-Z, EELS, SIMS and four-point probe resistivity measurement were used for in-depth analysis. Effect of microstructures of these films on their mechanical and electrical properties, and on diffusion behavior of Cu was analyzed.