- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België vanaf € 30
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België vanaf € 30
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Compact Modeling for MOSFET Devices
Small-Signal Models for Multiple-Gate Transistors
Oana Moldovan
Paperback | Engels
€ 86,45
+ 172 punten
Omschrijving
Compact models of devices are used in circuit simulators, in order to predict the functionality of circuits. Multiple-gate devices will be preferred in nanoscale circuits, thus calling for accurate and reliable compact models, an important prerequisite for successful circuit design. In this book we present explicit compact charge and capacitance models adapted for doped and undoped devices (doped Double-Gate (DG) MOSFETs, undoped DG MOSFETs, undoped Ultra-Thin-Body (UTB) MOSFETs and undoped Surrounding-Gate Transistors (SGTs)). The main advantage of our work is the analytical and explicit character of the charge and capacitance model that makes it easy to be implemented in circuit simulators. We also show the impact of important geometrical parameters such as source and drain thickness, fin spacing, spacer width, on the parasitic fringing capacitance component of FinFETs and PI-gate MOSFETs.
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 152
- Taal:
- Engels
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9783639148824
- Verschijningsdatum:
- 19/05/2009
- Uitvoering:
- Paperback
- Formaat:
- Trade paperback (VS)
- Afmetingen:
- 152 mm x 229 mm
- Gewicht:
- 231 g
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 172 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
Wedstrijd
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.