Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je cadeautjes zeker op tijd in huis hebben voor de feestdagen? Kom langs in onze winkels en vind het perfecte geschenk!
Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
Gratis thuislevering in België vanaf € 30
Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Je cadeautjes zeker op tijd in huis hebben voor de feestdagen? Kom langs in onze winkels en vind het perfecte geschenk!
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
Nitride heterostructures are of outstanding current interest for a wide range of device applications. AlxGa1-xN/GaN heterostructure devices operate at high power and high frequencies. Therefore, strong self-heating effect is expected in the AlGaN/GaN heterostrucure. The physical phenomena responsible for the self-heating effect and properties that can minimize the effect should be explored. The intensity of polarization field at the interface of AlGaN/GaN heterostructure is of the order of several MV/cm. These fields are common feature of nitride heterostructures which significantly influences the distribution and mobility of carriers; hence have profound impact on optical, thermal and electrical properties of the heterostructures. In this work, the effect of built in field on thermal transport properties of heterostructure to minimize the self-heating has been presented. This study shows that polarization field contributes to the elastic constant of nitrides and enhances the phonon group velocity which makes phonon mean free path longer. High Debye temperature gives a positive contribution to thermal conductivity. This study will be useful for minimization of self-heating process.