Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België vanaf € 30
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- Gratis thuislevering in België vanaf € 30
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry
€ 69,95
+ 139 punten
Omschrijving
Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs)
Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETs
Presents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions
Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETs
Presents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 86
- Taal:
- Engels
- Reeks:
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9789811065491
- Verschijningsdatum:
- 16/11/2017
- Uitvoering:
- Paperback
- Formaat:
- Trade paperback (VS)
- Afmetingen:
- 155 mm x 235 mm
- Gewicht:
- 1765 g
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 139 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
CADEAU
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.