Standaard Boekhandel gebruikt cookies en gelijkaardige technologieën om de website goed te laten werken en je een betere surfervaring te bezorgen.
Hieronder kan je kiezen welke cookies je wilt inschakelen:
Technische en functionele cookies
Deze cookies zijn essentieel om de website goed te laten functioneren, en laten je toe om bijvoorbeeld in te loggen. Je kan deze cookies niet uitschakelen.
Analytische cookies
Deze cookies verzamelen anonieme informatie over het gebruik van onze website. Op die manier kunnen we de website beter afstemmen op de behoeften van de gebruikers.
Marketingcookies
Deze cookies delen je gedrag op onze website met externe partijen, zodat je op externe platformen relevantere advertenties van Standaard Boekhandel te zien krijgt.
Je kan maximaal 250 producten tegelijk aan je winkelmandje toevoegen. Verwijdere enkele producten uit je winkelmandje, of splits je bestelling op in meerdere bestellingen.
The ultra-wideband (UWB) impulse-radio technology has unique features including high data-rate as well as low power consumption with ranging and localization capabilities. An UWB front-end, however, has to accommodate design challenges resulting from the exceptional wide bandwidth of several GHz. This book discusses the implementation issues of the UWB impulse-radio transceiver front-end, including the performance analysis of practical systems and the design of radio-frequency integrated circuits for transceiver front-ends. A general framework for performance evaluation of practical impulse radio system is proposed and demonstrated in scenarios of high-speed data communications as well as low-data-rate wireless body-area networks. An inductorless low- noise amplifier is designed with syncretic adoption of thermal noise canceling, capacitor peaking, and current reuse. The CMOS ransmit/receive switch design with highest reported bandwidth and power handling capability are discussed with customized transistor layout and triple-well resistive body- floating techniques. The prototypes have been demonstrated in state-of-the-art 130nm CMOS technology.