Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- In januari gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
Bedankt voor het vertrouwen het afgelopen jaar! Om jou te bedanken bieden we GRATIS verzending (in België) aan op alles gedurende de hele maand januari.
- Afhalen na 1 uur in een winkel met voorraad
- In januari gratis thuislevering in België
- Ruim aanbod met 7 miljoen producten
An SOI LDMOS For Better Switch Application
Electron Devices
Arindam Biswas, Arzoo Rafique, Anup Kumar Bhattacharjee
Paperback | Engels
€ 64,45
+ 128 punten
Omschrijving
This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1- m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1- m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.
Specificaties
Betrokkenen
- Auteur(s):
- Uitgeverij:
Inhoud
- Aantal bladzijden:
- 84
- Taal:
- Engels
Eigenschappen
- Productcode (EAN):
- 9783659406751
- Verschijningsdatum:
- 1/06/2013
- Uitvoering:
- Paperback
- Afmetingen:
- 150 mm x 220 mm
- Gewicht:
- 136 g
Alleen bij Standaard Boekhandel
+ 128 punten op je klantenkaart van Standaard Boekhandel
SOLDEN
Beoordelingen
We publiceren alleen reviews die voldoen aan de voorwaarden voor reviews. Bekijk onze voorwaarden voor reviews.